5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPP90R1K2C3
IPP90R1K2C3 PDF预览

IPP90R1K2C3

更新时间： 2024-11-05 11:08:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 295K
描述
CoolMOS? Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPP90R1K2C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.36雪崩能效等级（Eas）：68 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.1 A最大漏极电流 (ID)：5.1 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IPP90R1K2C3 数据手册

 浏览型号IPP90R1K2C3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP90R1K2C3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP90R1K2C3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP90R1K2C3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP90R1K2C3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP90R1K2C3的Datasheet PDF文件第7页 
IPP90R1K2C3  
CoolMOS™ Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V
R
DS @ T J=25°C  
900  
1.2  
28  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Extreme dv/dt rated  
DS(on),max @T J=25°C  
Ω
Q g,typ  
nC  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Ultra low gate charge  
PG-TO220  
CoolMOS™ 900V is designed for:  
• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies  
• PC Silverbox and consumer applications  
• Industrial SMPS  
Type  
Package  
Marking  
IPP90R1K2C3  
PG-TO220  
9R1K2C  
Maximum ratings, at T J=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
5.1  
3.2  
Continuous drain current  
A
2)  
10  
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
I D=0.92 A, V DD=50 V  
I D=0.92 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
68  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
0.31  
0.92  
50  
I AR  
A
V
DS=0...400 V  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
83  
static  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T J, T stg  
-55 ... 150  
60  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M3 and M3.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 1.0  
2008-07-30  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IPP90R1K2C3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP90R1K0C3 INFINEON

类似代替

 CoolMOS? Power Transistor
IPW90R1K2C3 INFINEON

功能相似

 CoolMOS? Power Transistor
IPI90R1K2C3 INFINEON

功能相似

 CoolMOS? Power Transistor

与IPP90R1K2C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP90R1K2C3XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP90R1K2C3XKSA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPP90R340C3 INFINEON

获取价格

 		CoolMOS? Power Transistor
IPP90R340C3XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP90R340C3XKSA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPP90R500C3 INFINEON

获取价格

 		CoolMOS? Power Transistor
IPP90R800C3 INFINEON

获取价格

 		CoolMOS? Power Transistor
IPP-AB201-10 IPP

获取价格

 		ATTENUATOR, 10 WATT, FLANGE
IPP-AB201-11 IPP

获取价格

 		ATTENUATOR, 10 WATT, FLANGE
IPP-AB201-2 IPP

获取价格

 		ATTENUATOR, 10 WATT, FLANGE

与IPP90R1K2C3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证