是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | TO-220, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.8 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0071 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPI80P04P4L-04 | INFINEON |
完全替代 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor | |
IPI80P04P4-07 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPP80P04P4L04AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IPP80P04P4L-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor | |
IPP80P04P4L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor | |
IPP80P04P4L08AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IPP80R1K2P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 | |
IPP80R280P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 | |
IPP80R360P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 | |
IPP80R450P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 | |
IPP80R600P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 | |
IPP80R750P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 |