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IPI80P04P4-07

更新时间： 2024-01-02 23:07:04

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描述
OptiMOS-P2 Power-Transistor

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IPI80P04P4-07 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	31 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	88 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI80P04P4-07 数据手册

IPB80P04P4-07

IPI80P04P4-07, IPP80P04P4-07

OptiMOS^®-P2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

-40

7.4

-80

R _DS(on)(SMD Version)

I _D

Features

• P-channel - Normal Level - Enhancement mode

PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

4P0407

IPB80P04P4-07

IPI80P04P4-07

IPP80P04P4-07

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C,

V _GS=-10V

Continuous drain current¹⁾

I _D

-80

T _C=100°C,

V _GS=-10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _AS

T _C=25°C

-320

I _D=-40A

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

-80

V _GS

P _tot

±20

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2011-02-14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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