Datasheet > IPI80P04P4-07

IPI80P04P4-07

更新时间： 2024-02-09 17:15:40

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	218K
描述
OptiMOS-P2 Power-Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPI80P04P4-07 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	31 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	88 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI80P04P4-07 数据手册

IPB80P04P4-07

IPI80P04P4-07, IPP80P04P4-07

5 Typ. output characteristics

I _D= f(V _DS); T _j= 25 °C; SMD

parameter: V _GS

6 Typ. drain-source on-state resistance

R _DS(on)= (I _D); T _j= 25 °C; SMD

parameter: V _GS

320

-5.5V

-5V

-10V

-7V

240

160

-6.5V

-6V

-6.5V

-7V

-5.5V

-5V

-10V

-I _D[A]

-V _DS[V]

7 Typ. transfer characteristics

I _D= f(V _GS); V _DS= -6V

parameter: T _j

8 Typ. drain-source on-state resistance

R _DS(on)= f(T _j); I _D= -80 A; V _GS= -10 V; SMD

320

240

160

175 °C

25 °C

-55 °C

-60

-20

100

140

180

-V _GS[V]

T _j[°C]

Rev. 1.0

page 5

2011-02-14

1 2 3 456 7 8 9

下载PDF

与IPI80P04P4-07相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPI80P04P407AKSA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
IPI80P04P407XK	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
IPI80P04P4L-04	INFINEON	OptiMOS-P2 Power-Transistor	获取价格
IPI80P04P4L04AKSA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
IPI80P04P4L-06	INFINEON	OptiMOS-P2 Power-Transistor	获取价格
IPI80P04P4L-08	INFINEON	OptiMOS-P2 Power-Transistor	获取价格