IPI90R800C3

更新时间： 2024-02-19 05:11:48

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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描述
CoolMOS? Power Transistor

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IPI90R800C3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	157 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.9 A
最大漏极电流 (ID)：	6.9 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	104 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI90R800C3 数据手册

IPI90R800C3

CoolMOS^™Power Transistor

Features

Product Summary

_DS@ T _J=25°C

900

0.8

• Lowest figure-of-merit R_ONx Q_g

• Extreme dv/dt rated

_DS(on),max@ T _J= 25°C

Ω

Q _g,typ

• High peak current capability

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Ultra low gate charge

PG-TO262

CoolMOS™ 900V is designed for:

• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies

• PC Silverbox and consumer applications

• Industrial SMPS

Type

Package

Marking

IPI90R800C3

PG-TO262

9R800C

Maximum ratings, at T _J=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

6.9

4.4

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=1.4 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

Avalanche energy, repetitive t _AR

157

2),3)

E _AR

0.46

1.4

I _AR

Avalanche current, repetitive t _AR

MOSFET dv /dt ruggedness

Gate source voltage

_DS=0...400 V

dv /dt

V _GS

V/ns

±20

static

±30

AC (f>1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

104

Power dissipation

T _J, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

°C

Rev. 1.0

page 1

2008-07-30

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPI90R800C3XKSA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 900V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
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