IPI90R800C3

更新时间： 2024-01-05 23:09:22

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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CoolMOS? Power Transistor

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IPI90R800C3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	157 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.9 A
最大漏极电流 (ID)：	6.9 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	104 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI90R800C3 数据手册

IPI90R800C3

9 Typ. gate charge

_GS=f(Q _gate); I _D=4.1 A pulsed

10 Forward characteristics of reverse diode

I _F=f(V _SD

)

parameter: V _DD

parameter: T _J

10²

25 °C, 98%

150 °C, 98%

10¹

720 V

400 V

25 °C

150 °C

10⁰

10^-1

_gate[nC]

0.5

1.5

_SD[V]

11 Avalanche energy

12 Drain-source breakdown voltage

_AS=f(T _J); I _D=1.4 A; V _DD=50 V

_BR(DSS)=f(T _J); I _D=0.25 mA

160

140

120

100

1050

1000

950

900

850

800

100

_J[°C]

125

150

-60

-20

_J[°C]

100

140

180

Rev. 1.0

page 6

2008-07-30

1...3 4 567 8 9 10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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