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IPI90R1K0C3XKSA1 PDF预览

IPI90R1K0C3XKSA1

更新时间： 2024-11-16 21:06:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 255K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IPI90R1K0C3XKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：97 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：5.7 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPI90R1K0C3XKSA1 数据手册

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IPI90R1K0C3  
CoolMOS™ Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V
R
DS @ T J=25°C  
900  
1.0  
34  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Extreme dv/dt rated  
DS(on),max @ T J= 25°C  
Ω
Q g,typ  
nC  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Ultra low gate charge  
PG-TO262  
CoolMOS™ 900V is designed for:  
• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies  
• PC Silverbox and consumer applications  
• Industrial SMPS  
Type  
Package  
Marking  
IPI90R1K0C3  
PG-TO262  
9R1K0C  
Maximum ratings, at T J=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
5.7  
3.6  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current 2)  
12  
I D,pulse  
E AS  
I D=1.1 A, V DD=50 V  
I D=1.1 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
97  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
0.37  
1.1  
I AR  
A
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
89  
static  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T J, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2008-07-29  
1234567...10

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