5秒后页面跳转
IPI90R340C3 PDF预览

IPI90R340C3

更新时间: 2024-11-23 11:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 255K
描述
CoolMOS? Power Transistor

IPI90R340C3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-262AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:5.29Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):678 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:900 V最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.34 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):208 W最大脉冲漏极电流 (IDM):34 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPI90R340C3 数据手册

 浏览型号IPI90R340C3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPI90R340C3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPI90R340C3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPI90R340C3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPI90R340C3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPI90R340C3的Datasheet PDF文件第7页 
IPI90R340C3  
CoolMOSPower Transistor  
Features  
Product Summary  
V
R
DS @ T J=25°C  
900  
0.34  
94  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Extreme dv/dt rated  
DS(on),max @T J=25°C  
Q g,typ  
nC  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Worldwide best R DS,on in TO262 (I2Pak)  
PG-TO262  
• Ultra low gate charge  
CoolMOS™ 900V is designed for:  
• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies  
• PC Silverbox and consumer applications  
• Industrial SMPS  
Type  
Package  
Marking  
IPI90R340C3  
PG-TO262  
9R340C  
Maximum ratings, at T J=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
15  
9.5  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current 2)  
34  
I D,pulse  
E AS  
I D=3.1 A, V DD=50 V  
I D=3.1 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
678  
1
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
3.1  
A
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
208  
-55 ... 150  
static  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T J, T stg  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2008-07-29  

IPI90R340C3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPW90R340C3 INFINEON

完全替代

CoolMOS Power Transistor
IPP90R340C3 INFINEON

功能相似

CoolMOS? Power Transistor

与IPI90R340C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPI90R340C3XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPI90R500C3 INFINEON

获取价格

CoolMOS™ Power Transistor
IPI90R500C3XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IPI90R800C3 INFINEON

获取价格

CoolMOS? Power Transistor
IPI90R800C3XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 900V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPJ-P6001-Q2AT ETC

获取价格

Impinj® Monza® X-2K Dura Datasheet
IPJ-P6005-X2AT ETC

获取价格

Impinj® Monza® X-2K Dura Datasheet
IPL10020 ETC

获取价格

Shortform Catalogue
IPL10020BE ETC

获取价格

Shortform Catalogue
IPL10020BF ETC

获取价格

Shortform Catalogue