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IPI80P04P4L08AKSA1

更新时间： 2024-11-16 19:53:15

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	193K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPI80P04P4L08AKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPI80P04P4L08AKSA1 数据手册

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IPB80P04P4L-08

IPI80P04P4L-08, IPP80P04P4L-08

OptiMOS^®-P2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

-40

7.9

-80

R_DS(on)(SMD Version)

I_D

Features

• P-channel - Logic Level - Enhancement mode

• AEC qualified

PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Source

pin 3

Type

Package

Marking

4P04L08

Gate

pin 1

IPB80P04P4L-08

IPI80P04P4L-08

IPP80P04P4L-08

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Drain

pin 2/Tab

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C,

V_GS=-10V

Continuous drain current¹⁾

I _D

-80

T _C=100°C,

V_GS=-10V¹⁾

-56

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

-320

I _D=-40A

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

-80

±16²⁾

V_GS

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2017-05-23

12 3 4 5 6 7...9

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