Datasheet > IPP80N08S2L07AKSA1

IPP80N08S2L07AKSA1

更新时间： 2024-11-16 21:02:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	246K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP80N08S2L07AKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.65
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPP80N08S2L07AKSA1 数据手册

浏览型号IPP80N08S2L07AKSA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IPP80N08S2L07AKSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IPP80N08S2L07AKSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IPP80N08S2L07AKSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IPP80N08S2L07AKSA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IPP80N08S2L07AKSA1的Datasheet PDF文件第7页

IPB80N08S2L-07

IPP80N08S2L-07

OptiMOS^™Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

6.8

• N-channel Logic Level - Enhancement mode

R _DS(on),max(SMD version)

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB80N08S2L-07

IPP80N08S2L-07

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

SP0002-19051

SP0002-19050

2N08L07

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25 °C, V _GS=10 V¹⁾

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=100 °C,

V _GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=80A

320

810

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2014-03-07

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

IPP80N08S2L07AKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDP060AN08A0	ONSEMI	功能相似	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，6mΩ

与IPP80N08S2L07AKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP80P03P3L-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P Power-Transistor
IPP80P03P4-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPP80P03P4L-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPP80P03P4L04AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IPP80P03P4L04AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPP80P03P4L-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPP80P03P4L07AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPP80P04P4-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPP80P04P4-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPP80P04P407AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me