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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 345 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 165 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP80N06S3L-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPP80N06S3L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPP80N06S4-05 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPP80N06S4-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPP80N06S407AKSA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N06S4L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPP80N06S4L05AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N06S4L05AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N06S4L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPP80N06S4L07AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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