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IPP80N06S2L06AKSA1

更新时间： 2024-11-23 19:49:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP80N06S2L06AKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：530 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0081 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP80N06S2L06AKSA1 数据手册

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IPB80N06S2L-06  
IPP80N06S2L-06  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
55  
6.3  
80  
V
• N-channel Logic Level - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB80N06S2L-06  
IPP80N06S2L-06  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
SP0002-18163  
SP0002-18824  
2N06L06  
2N06L06  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
80  
80  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse2)  
Gate source voltage4)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D= 80 A  
320  
530  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
250  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-03-13  
12345678

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