Datasheet > IPP80N06S2H5AKSA2

IPP80N06S2H5AKSA2

更新时间： 2024-11-26 21:14:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	157K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP80N06S2H5AKSA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.8
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP80N06S2H5AKSA2 数据手册

浏览型号IPP80N06S2H5AKSA2的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IPP80N06S2H5AKSA2的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IPP80N06S2H5AKSA2的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IPP80N06S2H5AKSA2的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IPP80N06S2H5AKSA2的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IPP80N06S2H5AKSA2的Datasheet PDF文件第7页

IPB80N06S2-H5

IPP80N06S2-H5

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

5.2

• N-channel - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB80N06S2-H5

IPP80N06S2-H5

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

SP0002-18162

SP0002-18155

2N06H5

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D= 80 A

320

700

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2006-03-13

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IPP80N06S2H5AKSA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP80N06S2L-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2L06AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S2L-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2L07AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IPP80N06S2L-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2L09AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S2L-11	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2L11AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S2L-H5	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor

与IPP80N06S2H5AKSA2相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP80N06S2H5AKSA2

IPP80N06S2H5AKSA2 技术参数

IPP80N06S2H5AKSA2 数据手册

与IPP80N06S2H5AKSA2相关器件

与IPP80N06S2H5AKSA2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP80N06S2H5AKSA2

IPP80N06S2H5AKSA2 技术参数

IPP80N06S2H5AKSA2 数据手册

与IPP80N06S2H5AKSA2相关器件

与IPP80N06S2H5AKSA2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？