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IPP80N06S208AKSA2

更新时间： 2024-11-26 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP80N06S208AKSA2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：450 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP80N06S208AKSA2 数据手册

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IPB80N06S2-08  
IPP80N06S2-08, IPI80N06S2-08  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
Features  
55  
7.7  
80  
V
• N-channel - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
PG-TO262-3-1  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB80N06S2-08  
IPP80N06S2-08  
IPI80N06S2-08  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
PG-TO262-3-1  
SP0002-18830  
SP0002-18826  
SP0002-18828  
2N0608  
2N0608  
2N0608  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
80  
80  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse2)  
Gate source voltage4)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D= 80 A  
320  
450  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
215  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-03-13  
12345678

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IPP80N06S208AKSA2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP80N06S208AKSA1 INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP80N06S2-09 INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S209AKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S209AKSA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IPP80N06S2H5AKSA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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