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IPP80N06S208AKSA1

更新时间： 2024-11-23 14:51:35

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英飞凌 - INFINEON		局域网
页数	文件大小	规格书
8页	155K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP80N06S208AKSA1 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

IPP80N06S208AKSA1 数据手册

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IPB80N06S2-08

IPP80N06S2-08, IPI80N06S2-08

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

V_DS

Features

7.7

• N-channel - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

PG-TO262-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB80N06S2-08

IPP80N06S2-08

IPI80N06S2-08

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

PG-TO262-3-1

SP0002-18830

SP0002-18826

SP0002-18828

2N0608

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D= 80 A

320

450

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

215

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2006-03-13

12 3 4 5 6 7 8

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IPP80N06S208AKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP80N06S208AKSA2	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP80N06S208AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP80N06S2-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S209AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S209AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S2-H5	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2H5AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S2L-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2L06AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S2L-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor