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IPP80N03S4L03AKSA1

更新时间： 2024-11-23 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 189K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP80N03S4L03AKSA1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.64
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：260 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP80N03S4L03AKSA1 数据手册

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IPB80N03S4L-02  
IPI80N03S4L-03, IPP80N03S4L-03  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
30  
2.4  
80  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• Ultra low Rds(on)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB80N03S4L-02  
IPI80N03S4L-03  
IPP80N03S4L-03  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
4N03L02  
4N03L03  
4N03L03  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
80  
80  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=80 A  
320  
260  
80  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
I AS  
T C=25 °C  
VGS  
±16  
136  
V
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 2.0  
page 1  
2007-03-09  
1234567...9

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