5秒后页面跳转
IPP70N10S3-12 PDF预览

IPP70N10S3-12

更新时间: 2024-11-05 11:08:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 188K
描述
OptiMOS-T Power-Transistor

IPP70N10S3-12 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.66Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):410 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):70 A
最大漏极电流 (ID):70 A最大漏源导通电阻:0.0116 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W最大脉冲漏极电流 (IDM):280 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP70N10S3-12 数据手册

 浏览型号IPP70N10S3-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP70N10S3-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP70N10S3-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP70N10S3-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP70N10S3-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP70N10S3-12的Datasheet PDF文件第7页 
IPB70N10S3-12  
IPI70N10S3-12, IPP70N10S3-12  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
100  
11.3  
70  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
m  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
3N1012  
3N1012  
3N1012  
IPB70N10S3-12  
IPI70N10S3-12  
IPP70N10S3-12  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
Continuous drain current  
70  
48  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=35A  
280  
410  
70  
Avalanche energy, single pulse1)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
I AS  
VGS  
±20  
125  
V
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2008-02-12  

IPP70N10S3-12 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD70N10S3-12 INFINEON

完全替代

OptiMOS-T Power-Transistor
IPI70N10S3-12 INFINEON

功能相似

OptiMOS-T Power-Transistor
IPB70N10S3-12 INFINEON

功能相似

OptiMOS-T Power-Transistor

与IPP70N10S3-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP70N10S3L-12 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T Power-Transistor
IPP70N10SL-16 INFINEON

获取价格

SIPMOS Power-Transistor
IPP70N10SL16AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP70N12S3-11 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor
IPP70N12S311AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP70N12S3L-12 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor
IPP70N12S3L12AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP70P04P4-09 INFINEON

获取价格

OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPP77N06S2-12 INFINEON

获取价格

OptiMOS Power-Transistor
IPP77N06S212AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met