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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 8.58 | 雪崩能效等级（Eas）： | 142 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP65R600C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPP65R600E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPP65R660CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS CFD Power Transistor |
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| IPP-7068 | IPP |
获取价格 |
OUTLINE SMD COUPLER, 90 |
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| IPP70N04S3-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPP70N04S307AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IPP70N04S4-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPP70N10S3-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPP70N10S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPP70N10SL-16 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
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