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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 227 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 83.3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 27 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP65R600C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPP65R600C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPP65R600E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPP65R660CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS CFD Power Transistor |
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| IPP-7068 | IPP |
获取价格 |
OUTLINE SMD COUPLER, 90 |
|
| IPP70N04S3-07 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPP70N04S307AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPP70N04S4-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPP70N10S3-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPP70N10S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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