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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 485 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 66 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPI65R190C6XKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| SPI20N65C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI65R190C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IPI65R190CFD | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor |
|
| IPI65R190CFDXKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-262, I2PAK-3 |
|
| IPI65R190E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS⢠E6 Power Transistor |
|
| IPI65R280C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
|
| IPI65R280E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS E6 Power Transistor |
|
| IPI65R280E6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IPI65R310CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
|
| IPI65R380C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPI65R420CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
|
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