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IPI65R190C6XKSA1

更新时间: 2024-11-23 19:00:35
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 2188K
描述
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

IPI65R190C6XKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-262AA
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.14
雪崩能效等级(Eas):485 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:650 V最大漏源导通电阻:0.19 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):66 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPI65R190C6XKSA1 数据手册

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MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS C6  
650V CoolMOS™ C6 Power Transistor  
IPx65R190C6  
Data Sheet  
Rev. 2.0, 2011-05-09  
Final  
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