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IPI65R150CFDXKSA1

更新时间: 2024-11-02 19:53:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
20页 3816K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

IPI65R150CFDXKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-262AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:5.82雪崩能效等级(Eas):614 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):22.4 A最大漏极电流 (ID):22.4 A
最大漏源导通电阻:0.15 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-262AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):195.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPI65R150CFDXKSA1 数据手册

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MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS™ CFD2 650V  
650V CoolMOS™ CFD2 Power Transistor  
IPx65R150CFD  
Data Sheet  
Rev. 2.0  
Final  
Industrial & Multimarket  

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