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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE | 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPP11N80C3 | INFINEON |
功能相似  |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| STP5NK100Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
|
| STW20NK50Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI60R385CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPI60R385CP_07 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
|
| IPI60R520CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPI60R520CPAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPI60R600CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
|
| IPI65R099C6 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IPI65R099C6 | ROCHESTER |
获取价格 |
650V, 0.099ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 |
|
| IPI65R150CFDXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI65R190C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
|
| IPI65R190C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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