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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.36 | 雪崩能效等级（Eas）： | 845 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.099 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 115 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI65R150CFDXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI65R190C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPI65R190C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPI65R190CFD | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor |
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| IPI65R190CFDXKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-262, I2PAK-3 |
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| IPI65R190E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS⢠E6 Power Transistor |
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| IPI65R280C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPI65R280E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPI65R280E6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPI65R310CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
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