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IPI530N15N3GXKSA1 PDF预览

IPI530N15N3GXKSA1

更新时间： 2024-10-01 21:20:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 939K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IPI530N15N3GXKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：8.52
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.053 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPI530N15N3GXKSA1 数据手册

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IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G  
IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
150  
53  
V
• N-channel, normal level  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
21  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB530N15N3 G  
IPD530N15N3 G  
IPI530N15N3 G  
IPP530N15N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
530N15N  
PG-TO252-3  
530N15N  
PG-TO262-3  
530N15N  
PG-TO220-3  
530N15N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
21  
15  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
84  
I D=18 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
60  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
68  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 2.6  
page 1  
2013-07-09  
1234567...12

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与IPI530N15N3GXKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPI600N25N3G INFINEON

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 		OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPI600N25N3GAKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPI60R099CP INFINEON

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 		CoolMOSTM Power Transistor
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 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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