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IPI60R190C6XKSA1

更新时间: 2024-11-26 19:56:39
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 1260K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

IPI60R190C6XKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-262AA
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:5.69雪崩能效等级(Eas):418 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):20.2 A最大漏源导通电阻:0.19 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):59 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPI60R190C6XKSA1 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀC6ꢀ600V  
600VꢀCoolMOS™ꢀC6ꢀPowerꢀTransistor  
IPx60R190C6  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.2  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

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