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IPI45N06S3-16

更新时间： 2024-02-11 21:02:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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OptiMOS-T Power-Transistor

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IPI45N06S3-16 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	95 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A	最大漏极电流 (ID)：	45 A
最大漏源导通电阻：	0.0157 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI45N06S3-16 数据手册

IPB45N06S3-16

IPI45N06S3-16, IPP45N06S3-16

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

15.4

• N-channel - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

• Ultra low Rds(on)

• Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB45N06S3-16

IPI45N06S3-16

IPP45N06S3-16

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

SP0001-02224

SP0001-02217

SP0001-02218

3N0616

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V _GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse³⁾

Drain gate voltage²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D= 27.5 A

180

V _DG

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2005-11-25

12 3 4 5 6 7...9

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