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IPI147N12N3GAKSA1

更新时间： 2024-02-22 06:44:20

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	773K
描述
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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IPI147N12N3GAKSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	5.67
雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	120 V	最大漏极电流 (ID)：	56 A
最大漏源导通电阻：	0.0147 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	224 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI147N12N3GAKSA1 数据手册

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IPB144N12N3 G

IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G

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Product Summary

Features

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