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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 雪崩能效等级（Eas）： | 154 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 85 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 67 A | 最大漏极电流 (ID)： | 67 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0126 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 268 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI139N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPI147N12N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPI147N12N3GAKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI14N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPI16CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPI16CNE8NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPI180N10N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPI200N15N3G | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-Transistor Features Excelle |
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| IPI200N25N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPI22N03S4L-15 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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