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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | TO-262, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 78 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 136 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP120P04P4L-03 | INFINEON |
完全替代  |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI126N10N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPI12CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPI12CN10NGHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.0129ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI12CNE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPI139N08N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPI147N12N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| IPI147N12N3GAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI14N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
|
| IPI16CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPI16CNE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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