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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 5.75 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 112 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0076 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 448 A | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI086N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| IPI086N10N3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPI08CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPI08CNE8NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPI09N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPI100N04S3-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPI100N04S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPI100N04S4-H2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI100N04S4H2AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI100N06S3-03 | INFINEON |
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OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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