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IPI076N12N3G

更新时间： 2024-11-18 11:08:47
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 296K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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IPI076N12N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：230 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0076 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPI076N12N3G 数据手册

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IPI076N12N3 G IPP076N12N3 G  
Product Summary  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Features  
V DS  
120  
7.6  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on)max  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
100  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant; halogen free  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Type  
IPI076N12N3 G  
IPP076N12N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO262-3  
076N12N  
PG-TO220-3  
076N12N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
100  
76  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
400  
I D=100 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
230  
mJ  
V
Gate source voltage3)  
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
188  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 2.3  
page 1  
2009-07-09  
1234567...10

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IPI076N12N3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP076N12N3G INFINEON

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