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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 85 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 161 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0054 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI057N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level |
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| IPI05CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPI05CN10NGHKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPI05CNE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPI05N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPI06CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPI06CN10NGHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPI06CNE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPI06N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPI070N06NG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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