5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPI052NE7N3G
IPI052NE7N3G PDF预览

IPI052NE7N3G

更新时间： 2024-11-21 11:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 846K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPI052NE7N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPI052NE7N3G 数据手册

 浏览型号IPI052NE7N3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPI052NE7N3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPI052NE7N3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPI052NE7N3G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPI052NE7N3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPI052NE7N3G的Datasheet PDF文件第7页 
ꢀ# # ꢁ ꢂ ꢃ ! ꢄ ꢅ ! ꢆ ꢇ  
ꢀ# ꢀꢁ ꢂ ꢃ ! ꢄ ꢅ ! ꢆ ꢇ  
"%&$!"#B<ꢆ # : A0<ꢈ& <,9=4=>: <  
# <: /?.> % ?8 8 ,<C  
6LHZ[XLY  
)
/-  
-&*  
0(  
J
9H  
Q ( @D9=9J54 D53 8>? <? 7I 6? B CI>3 8B? >? EC B53 D9693 1D9? >  
Q #451< 6? B 8978 6B5AE5>3 I CG9D3 89>7 1>4 ꢀ ꢁ ꢂꢀ ꢁ 3 ? >F5BD5BC  
Q ꢃ H3 5<<5>D 71D5 3 81B75 H ' 9H"[Z# @B? 4E3 D ꢄ  ( & ꢅ  
Q .5BI <? G ? >ꢆB5C9CD1>3 5 + 9H"[Z#  
'
Y"  
6
9H"[Z#$YMd  
$
9
Q ' ꢆ3 81>>5<ꢇ >? B=1< <5F5<  
Q ꢈ ꢉ ꢉ ꢊ 1F1<1>3 85 D5CD54  
Q )2 ꢆ6B55 @<1D9>7ꢋ + ? " , 3 ? =@<91>Dꢇ 81<? 75> 6B55  
Q * E1<96954 13 3 ? B49>7 D? $ ꢃ ꢀ ꢃ ꢁ )# 6? B D1B75D 1@@<93 1D9? >C  
B_WL  
#))ꢉ ꢎ ꢍ ' ꢃ ꢒ ' ꢔ !  
#)#ꢉ ꢎ ꢍ ' ꢃ ꢒ ' ꢔ !  
?HJRHNL  
<HXRPUN  
E=%ID**(%+  
(-*C;/C  
E=%ID*.*%+  
(-*C;/C  
  ,B48 ?8 <,>492=ꢉ 1D ( Vꢌ ꢍ ꢎ Tꢁ ꢇ E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954  
DHS[L  
?HXHTLZLX  
A_TIVS 3VUKPZPVUY  
CUPZ  
( 8ꢌ ꢍ ꢎ Tꢁ *#  
$
ꢁ ? >D9>E? EC 4B19> 3 EBB5>D  
0(  
0(  
6
9
( 8ꢌ ꢈ ꢉ ꢉ Tꢁ  
)E<C54 4B19> 3 EBB5>D*#  
$
( 8ꢌ ꢍ ꢎ Tꢁ  
$ 9ꢌ ꢎ ꢐ ꢏ ꢇ ' =Hꢌ ꢍ ꢎ "  
+*(  
9$\aX_Q  
ꢏ F1<1>3 85 5>5B7Iꢇ C9>7<5 @E<C5+#  
!1D5 C? EB3 5 F? <D175  
#
)
%
+/(  
Y@  
J
6H  
=H  
`[`  
q*(  
( 8ꢌ ꢍ ꢎ Tꢁ  
)? G5B 49CC9@1D9? >  
)-(  
K
Tꢁ  
( Vꢇ ( _`S  
( @5B1D9>7 1>4 CD? B175 D5=@5B1DEB5  
#ꢃ ꢁ 3 <9=1D93 3 1D57? BIꢋ ꢀ #' #ꢃ ꢁ ꢐ ꢓ ꢆꢈ  
ꢆꢎ ꢎ ꢑꢑꢑ ꢈ ꢒ ꢎ  
ꢎ ꢎ ꢂꢈ ꢒ ꢎ ꢂꢎ ꢐ  
)#$ ꢆ,-ꢀ ꢍ ꢉ 1>4 $ ꢃ ,ꢀ ꢍ ꢍ  
*# ,55 697EB5 ꢔ 6? B =? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >  
+# ,55 697EB5 ꢈ ꢔ 6? B =? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? Z  
+ 5Fꢑ ꢍ ꢑꢉ ꢈ  
@175 ꢈ  
ꢍ ꢉ ꢉ ꢕ ꢆꢈ ꢈ ꢆꢈ ꢈ  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IPI052NE7N3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP052NE7N3G INFINEON

功能相似

 OptiMOS3 Power-Transistor

与IPI052NE7N3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPI054NE8NG INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 161A I(D), 85V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPI057N08N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level
IPI05CN10NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CN10NGHKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI05CNE8NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05N03LA INFINEON

获取价格

 		OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI06CN10NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI06CN10NGHKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI06CNE8NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI06N03LA INFINEON

获取价格

 		OptiMOS 2 Power-Transistor

与IPI052NE7N3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证