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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPI052NE7N3G | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP052NE7N3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP054NE8N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP054NE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP054NE8NGHKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP055N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| IPP055N03LG_09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPP055N08NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET?80 V features low RDS(on) of 5.5 mOhm, addressing a |
|
| IPP057N06N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSâ¢3 Power-Transistor |
|
| IPP057N06N3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP057N08N3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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