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IPP062NE7N3G

更新时间： 2024-09-16 11:49:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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9页 540K
描述
OptiMOS™ 3 Power-Transistor

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IPP062NE7N3G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：160 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0062 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：136 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP062NE7N3G 数据手册

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与IPP062NE7N3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP062NE7N3GXKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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