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IPP062NE7N3G

更新时间: 2024-11-18 11:49:55
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页数 文件大小 规格书
9页 540K
描述
OptiMOS™ 3 Power-Transistor

IPP062NE7N3G 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-220AB包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.29
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):160 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0062 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):136 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP062NE7N3G 数据手册

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