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IPP075N15N3G

更新时间： 2024-10-30 05:39:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体栅极晶体管
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11页	419K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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IPP075N15N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	780 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP075N15N3G 数据手册

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

150

7.2

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO263)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

100

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB072N15N3 G

IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

072N15N

PG-TO220-3

075N15N

PG-TO262-3

075N15N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

100

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

400

780

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=100 A, V _DS=120 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3

Rev. 2.06

page 1

2010-04-19

12 3 4 5 6 7...11

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