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IPP070N08N3G

更新时间： 2024-11-06 11:08:51

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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IPP070N08N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.007 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	136 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IPP070N08N3G 数据手册

IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G

IPB067N08N3 G

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Product Summary

Features

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Type

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Package

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Parameter

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IPP070N08N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP139N08N3G	INFINEON	功能相似	OptiMOS3 Power-Transistor
IPP08CNE8NG	INFINEON	功能相似	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP06CNE8NG	INFINEON	功能相似	OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPP072N10N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPP072N10N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPP072N10N3G	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IPP072N10N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP073N13NM6	INFINEON	获取价格	OptiMOS? 6?135 V targets high-power motor-drive applications such as LEVs, e-forklifts, po
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IPP075N15N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor
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