IPP06CN10LG

更新时间： 2024-11-18 11:08:51

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描述
OptiMOS2 Power-Transistor

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IPP06CN10LG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	480 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0062 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	214 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP06CN10LG 数据手册

IPP06CN10L G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

6.2

• N-channel, logic level

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

100

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type

IPP06CN10L G

Package

Marking

PG-TO220-3

06CN10L

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

100

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

400

480

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=100 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

214

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.01

page 1

2007-10-01

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP06CN10NG	INFINEON	完全替代	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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IPP06CN10NGHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP06CN10NGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP06CNE8N	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP06CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP06N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
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IPP070N06NGAKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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