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IPP076N15N5

更新时间: 2024-11-06 11:14:15
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英飞凌 - INFINEON 通信局域网驱动开关脉冲晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
10页 1677K
描述
英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了换流坚固性。

IPP076N15N5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TO-220, 3 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
雪崩能效等级(Eas):130 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):112 A最大漏源导通电阻:0.0076 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):448 A
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP076N15N5 数据手册

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IPP076N15N5  
MOSFET  
OptiMOSª5ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV  
TO-220-3  
tab  
Features  
•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀVeryꢀlowꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)  
•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication  
•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
Drain  
Pin 2, Tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
150  
7.6  
Unit  
VDS  
V
Gate  
Pin 1  
RDS(on),max  
m  
A
Source  
Pin 3  
ID  
112  
96  
Qrr  
nC  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPP076N15N5  
PG-TO220-3  
076N15N5  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-03-03  

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