5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPP080N03LG
IPP080N03LG PDF预览

IPP080N03LG

更新时间： 2024-09-13 11:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 275K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPP080N03LG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：50 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：48 A最大漏源导通电阻：0.0119 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：47 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP080N03LG 数据手册

 浏览型号IPP080N03LG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP080N03LG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP080N03LG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP080N03LG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP080N03LG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP080N03LG的Datasheet PDF文件第7页 
IPP080N03L G  
IPB080N03L G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
30  
8.0  
50  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPP080N03L G  
IPB080N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3-1  
080N03L  
PG-TO263-3  
080N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
50  
42  
A
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
48  
34  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
T C=25 °C  
E AS  
I D=12 A, R GS=25 Ω  
50  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=175 °C  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 1.04  
page 1  
2010-01-19  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IPP080N03LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SPP80N06S-08 INFINEON

类似代替

 SIPMOS㈢ Power-Transistor
IPP80N06S2-08 INFINEON

功能相似

 OptiMOS Power-Transistor
STP60N3LH5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO

与IPP080N03LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP080N06NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP082N10NF2S INFINEON

获取价格

 		Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V
IPP083N10N5 INFINEON

获取价格

 		Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET
IPP084N06L3G INFINEON

获取价格

 		OptiMosTM3 Power-Transistor
IPP085N06LG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP086N10N3 G INFINEON

获取价格

 		英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPP086N10N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPP086N10N3GXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP08CN10LG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS2 Power-Transistor
IPP08CN10N INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor

与IPP080N03LG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证