IPP06CN10NG

更新时间： 2024-11-18 03:44:23

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OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPP06CN10NG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	480 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	214 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP06CN10NG 数据手册

IPB06CN10N G IPI06CN10N G

IPP06CN10N G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

6.2

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO263)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

100

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPB06CN10N G

IPI06CN10N G

IPP06CN10N G

Type

PG-TO263-3

06CN10N

PG-TO262-3

06CN10N

PG-TO220-3

06CN10N

Package

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

100

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

400

480

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=100 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

214

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.05

page 1

2006-06-02

12 3 4 5 6 7...11

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IPP06CN10NG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP06CN10LG	INFINEON	完全替代	OptiMOS2 Power-Transistor
IPI06CN10NG	INFINEON	完全替代	OptiMOS㈢2 Power-Transistor

与IPP06CN10NG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP06CN10NGHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP06CN10NGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP06CNE8N	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP06CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP06N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP070N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP070N06NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP070N06NGAKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP070N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPP070N08N3GHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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