5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 448 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 214 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP80N06S2-08 | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| STP60N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO |
|
| SPP80N06S-08 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS㈢ Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP082N10NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V |
|
| IPP083N10N5 | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET |
|
| IPP084N06L3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMosTM3 Power-Transistor |
|
| IPP085N06LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPP086N10N3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
|
| IPP086N10N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
|
| IPP086N10N3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPP08CN10LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
|
| IPP08CN10N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP08CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
