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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0057 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP054NE8NGHKSA2 | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDP060AN08A0 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP05CN10LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
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| IPP05CN10N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP05CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP05CN10NGXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IPP05N03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Buck converter series |
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| IPP05N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPP05N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP05N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP05N03LBG_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
|
| IPP05N03LBGHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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