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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 136 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0053 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP060N06N | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V |
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| IPP060N06NAKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPP062NE7N3 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP062NE7N3G | INFINEON |
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OptiMOS⢠3 Power-Transistor |
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| IPP062NE7N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP065N03LG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPP065N03LGXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP065N04NG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP065N06LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPP065N06LGAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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