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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.87 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 154 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP05N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPP05N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP05N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP05N03LBG_08 | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| IPP05N03LBGHKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP060N06N | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V |
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| IPP060N06NAKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPP062NE7N3 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPP062NE7N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS⢠3 Power-Transistor |
|
| IPP062NE7N3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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