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IPP057N06N3G

更新时间： 2024-11-05 12:20:03

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OptiMOSâ¢3 Power-Transistor

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IPP057N06N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	77 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	115 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP057N06N3G 数据手册

Type

IPB054N06N3 G IPP057N06N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

5.4

• Ideal for high frequency switching and sync. rec.

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

R _{DS(on),max (SMD)}

I _D

mΩ

• N-channel, normal level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB054N06N3 G

IPP057N06N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

054N06N

PG-TO220-3

057N06N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

320

Avalanche energy, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

I _D=80 A, R _GS=25 Ω

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

115

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾J-STD20 and JESD22

-55 ... 175

55/175/56

²⁾Current is limited by bondwire; with anR _thJC=1.3 K/W the chip is able to carry 108 A.

³⁾See figure 3 for more detailed information

⁴⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.2

page 1

2010-01-14

12 3 4 5 6 7...10

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IPP057N06N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP057N06N3GXKSA1	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP057N06N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP057N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPP057N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level
IPP057N08N3G_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPP057N08N3GHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP057N08N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP05CN10LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
IPP05CN10N	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP05CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP05CN10NGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,

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