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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPP055N03LG
IPP055N03LG PDF预览

IPP055N03LG

更新时间： 2024-11-18 11:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 303K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

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IPP055N03LG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0078 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：68 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP055N03LG 数据手册

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IPP055N03L G  
IPB055N03L G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
5.5  
50  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m:  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPP055N03L G  
IPB055N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3  
055N03L  
PG-TO263-3  
055N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
50  
50  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
V
GS=4.5 V,  
50  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=35 A, R GS=25 :  
Avalanche energy, single pulse  
60  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/μs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/μs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
20  
Rev. 1.02  
page 1  
2007-08-29  
1234567...10

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IPP055N03LG 替代型号

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP057N08N3 G INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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