是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.1 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 40 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 59 A |
最大漏极电流 (ID): | 42 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0095 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 57 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 230 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF3707ZSTRLPBF | INFINEON |
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IRF3707ZS | INFINEON |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF3707ZSTRLPBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRF3707ZSTRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF3707ZSTRRPBF | INFINEON |
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IRF3708 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A) | |
IRF3708L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A) | |
IRF3708LPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF3708PBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF3708S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A) | |
IRF3708SPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |