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IRLB8721PBF

更新时间： 2024-11-21 11:10:23
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 268K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLB8721PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.08
雪崩能效等级（Eas）：98 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：62 A最大漏极电流 (ID)：62 A
最大漏源导通电阻：0.0087 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：250 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLB8721PBF 数据手册

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PD - 97390  
IRLB8721PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Optimized for UPS/Inverter Applications  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power 30V  
l High Frequency Isolated DC-DC  
VDSS  
RDS(on) max  
Qg (typ.)  
7.6nC  
8.7m @VGS = 10V  
D
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
Benefits  
S
D
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
G
TO-220AB  
IRLB8721PbF  
l Lead-Free  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
30  
Drain-to-Source Voltage  
V
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
62  
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
44  
250  
A
@ TC = 100°C  
DM  
65  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
P
P
@TC = 25°C  
@TC = 100°C  
D
D
W
33  
0.43  
W/°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
T
J
Storage Temperature Range  
STG  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case)  
10lb in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
0.5  
Max.  
2.3  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
62  
–––  
Notes  through ꢀ are on page 9  
www.irf.com  
1
4/22/09  
1234567...9

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